Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DI13001

BJT SOT-23 700V 250MA

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DI13001

DI13001 Hakkında

DI13001, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum collector-emitter voltajı 450V, collector akımı 250mA ve maksimum güç tüketimi 800mW olarak belirlenmiştir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynağı uygulamalarında ve yüksek voltaj kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 250 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 50mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 20mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok