Transistörler - IGBT - Tekil
DGTD65T50S1PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DGTD65T50S1
DGTD65T50S1PT Hakkında
DGTD65T50S1PT, Diodes Incorporated tarafından üretilen 600V Field Stop IGBT transistördür. 100A maksimum collector akımı ve 200A pulsed akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipinde montajlanır ve -40°C ile 175°C arasında çalışır. 2.4V on-state voltajı (Vce) ve 287nC gate charge değerleri ile anahtarlama kaybı optimize edilmiştir. 770µJ on ve 550µJ off switching energy değerleriyle enerji verimliliği sağlar. Reverse recovery time 80ns olup hızlı anahtarlama özellikleri barındırır. Motor kontrolü, UPS sistemleri, inverter devreleri ve elektriksel yalıtım gerektiren güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. Kısa hayat süresi uyarısı (Last Time Buy) ile stoklanması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 287 nC |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 375 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 770µJ (on), 550µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 58ns/328ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok