IGBT Transistörler - Modüller

DF900R12IP4DBOSA1

IGBT MOD 1200V 900A 5100W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
DF900R12IP4DBOSA1

DF900R12IP4DBOSA1 Hakkında

DF900R12IP4DBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek akım IGBT modülüdür. 1200V Collector-Emitter gerilimi, 900A maksimum collector akımı ve 5100W güç yeteneğine sahip bu bileşen, endüstriyel uygulamalarda güç dönüştürme, inverter kontrol, motor sürücüleri ve haberleşme güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış olan modül, düşük Vce(on) değeri (2.05V @ 15V, 900A) ile verim artırır. Integrated NTC thermistor ile sıcaklık izlemesi yapılabilir. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel panel montajına uygundur. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single Chopper
Current - Collector (Ic) (Max) 900 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 5100 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok