IGBT Transistörler - Modüller
DF80R12W2H3FB11BPSA1
IGBT MOD 1200V 20A 20MW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF80R12W2H3FB11BPSA1
DF80R12W2H3FB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF80R12W2H3FB11BPSA1, 1200V 20A kapasiteli Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu modül, maksimum 20 mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1.7V olarak belirlenmiştir. -40°C ile 150°C arasında çalışan modül, entegre NTC thermistor ile sıcaklık koruması sağlar. Giriş kapasitansi 2.35 nF @ 25V'dir. Chassis mount tipi casing ile endüstriyel uygulamalarda, AC/DC güç dönüştürücülerinde, motor kontrol sistemlerinde ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerde kullanılır. Standart giriş sinyaleriyle uyumlu tasarımı, kompleks güç elektronik sistemlerine entegre edilmesini kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.35 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 mW |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok