IGBT Transistörler - Modüller
DF75R12W1H4FB11BOMA2
IGBT MOD 1200V 25A 20MW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF75R12W1H4FB11
DF75R12W1H4FB11BOMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF75R12W1H4FB11BOMA2, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V collector-emitter aralığında 25A akım kapasitesi ile yüksek güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel sistemlere entegre edilebilir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlar. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 2.65V Vce(on) değeri ile enerji verimli anahtarlama özelliğine sahiptir. Konverter, UPS, motor kontrol ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Part Status Last Time Buy durumuyla mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 20 mW |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok