IGBT Transistörler - Modüller
DF650R17IE4BOSA1
IGBT MOD 1700V 930A 4150W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF650R17IE4BOSA1
DF650R17IE4BOSA1 Hakkında
DF650R17IE4BOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülüdür. 1700V breakdown voltajı ve 930A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. Tek konfigürasyonda tasarlanmış bu modül, 4150W maksimum güç kapasitesine sahiptir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 650A akımda 2.45V olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipi kasa ve -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve enerji yönetimi uygulamalarında yer alabilir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 930 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 54 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 4150 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok