IGBT Transistörler - Modüller
DF400R12KE3HOSA1
IGBT MOD 1200V 580A 2000W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF400R12KE3
DF400R12KE3HOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF400R12KE3HOSA1, 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 580A maksimum collector akımı ile tasarlanmış endüstriyel sınıf bir IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak düşük switchingloss ve hızlı komütasyon özelliği sunar. 2000W maksimum güç kapasitesi ile enerji dönüşüm uygulamalarında, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde kullanılır. Chassis mount konfigürasyonu ile doğrudan soğutma yapısına entegrasyonu mümkündür. -40°C ile 125°C arasında çalışan, 2.15V Vce(on) drop değeri ile enerji verimliliği sağlayan modüldür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 580 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 28 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2000 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 400A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok