Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DF23MR12W1M1PB11BPSA1
MOSFET MODULE 1200V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- DF23MR12W1M1PB11BPSA1
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF23MR12W1M1PB11BPSA1, 1200V (1.2kV) Drain-Source gerilim ile çalışan Silikon Karbür (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET modülüdür. 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu komponent, 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate şarjı 62nC ve giriş kapasitesi 1840pF olan modül, -40°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilir. Chassi montajlı AG-EASY1B-2 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, inverterler, UPS sistemleri ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok