Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DF23MR12W1M1B11BPSA1
MOSFET MOD 1200V 25A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- DF23MR12W1M1B11BPSA1
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF23MR12W1M1B11BPSA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı dual N-channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 45mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. Chassi montaj tipi ile endüstriyel güç elektronikleri, invertörler, solar PV sistemleri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında yüksek güvenilirlik sağlar. 62nC gate charge ve düşük input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı ile enerji verimliliğine katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok