Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DF23MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 25A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Hakkında
DF23MR12W1M1B11BOMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/25A SiC (Silicon Carbide) MOSFET modülüdür. Dual N-channel konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, Rds(on) değeri 45mOhm (@25A, 15V) ile düşük iletim kaybı sağlar. 620nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalara uygun olan bu modül, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, elektrik araçlar ve renewable energy sistemleri gibi alanlarda kullanılır. Part status obsolete olmasına rağmen, teknik özellikleri itibariyle yüksek performanslı güç kontrol uygulamalarında yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok