IGBT Transistörler - Modüller
DF200R12W1H3FB11BOMA1
IGBT MOD 1200V 30A 20MW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF200R12W1H3FB11BOMA1
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF200R12W1H3FB11BOMA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V kollektör-emiter aralığında çalışan bu Trench Field Stop tipi transistör, 30A maksimum kolektör akımı ve 20mW güç dissipasyonu özelliklerine sahiptir. 1.45V on-state gerilimi ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Entegre NTC termistör ile sıcaklık izlenmesi yapılabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) endüstriyel uygulamalara uygunluğunu gösterir. Chassis mount konfigürasyonu ve modüler yapısı, güç dönüştürme sistemlerinde, frekans konvertörlerde ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.15 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 20 mW |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.45V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok