IGBT Transistörler - Modüller
DF200R12W1H3B27BOMA1
IGBT MOD 1200V 30A 375W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF200R12W1H3B27
DF200R12W1H3B27BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF200R12W1H3B27BOMA1, 1200V ve 30A nominal akım kapasitesiyle tasarlanmış bir IGBT modülüdür. Maksimum 375W güç dağıtım kapasitesine sahip bu modül, 2 bağımsız konfigürasyonla çalışır. Vce(on) değeri 15V kapı gerilimi ve 30A akımda 1.3V olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipi monte edilen bu komponent, -40°C ile 150°C arasında güvenli şekilde işletilmektedir. Entegre NTC termistörü sayesinde sıcaklık koruması sağlar. Endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrol sistemleri, kaynak cihazları ve güç elektronik dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 375 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok