IGBT Transistörler - Modüller
DF200R12KE3HOSA1
IGBT MODULE 1200V 1040W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF200R12KE3
DF200R12KE3HOSA1 Hakkında
DF200R12KE3HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT modülüdür. Maksimum 1040W güç işleme kapasitesine sahip bu transistör modülü, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 200A akımda 2.15V olan bu bileşen, endüstriyel inverter, motor sürücü, kaynak makinaları ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Chassis mount tipinde montaj imkanı sunar ve -40°C ile 125°C arasında çalışabilir. Input kapasitansi 14nF olup, standart IGBT gate sürücü entegrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1040 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok