Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DF11MR12W1M1PB11BPSA1
MOSFET MODULE 1200V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- DF11MR12W1M1PB11BPSA1
DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF11MR12W1M1PB11BPSA1, 1200V drain-source voltaj kapasitesiyle tasarlanmış Silicon Carbide (SiC) tabanlı MOSFET modülüdür. Dual N-Channel konfigürasyona sahip bu bileşen, 50A sürekli drain akımı (Tj=25°C) ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 22.5mOhm RDS(on) değeri (50A, 15V) ile verimli anahtarlama sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen chassis mount tipi modül, inverter, motor sürücü ve yüksek voltaj güç dönüştürme sistemlerinde yer alır. 124nC gate charge ve 3680pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok