Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DF11MR12W1M1B11BPSA1
MOSFET MOD 1200V 50A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- DF11MR12W1M1B11BPSA1
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF11MR12W1M1B11BPSA1, 1200V/50A özelliklerine sahip Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-channel MOSFET modülüdür. Chassis mount konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, 22.5mOhm on-resistance ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen modül, yüksek voltaj güç dönüştürme, inverter devreleri, solar enerji sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. 124nC gate charge ve 3680pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok