Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DF11MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 50A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- DF11MR12W1M1B11BOMA1
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Hakkında
DF11MR12W1M1B11BOMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı MOSFET modülüdür. Dual N-Channel konfigürasyonunda iki transistör içeren bu kompakt modül, 1200V drain-source voltajına dayanır ve 50A sürekli drain akımı sağlar. Düşük on-state direnci (23mOhm @ 50A, 15V) ile güç kaybını minimize eder. Yüksek voltajlı güç dönüştürme uygulamalarında, şarj sistemlerinde, inverter ve konverter tasarımlarında kullanılır. Chassis mount tipi ile soğutucu plakasına sabitlenir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama ve verimli enerji yönetimi gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok