IGBT Transistörler - Modüller
DF1000R17IE4DB2BOSA1
IGBT MODULE 1700V 6250W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF1000R17IE4DB2BOSA1
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF1000R17IE4DB2BOSA1, 1700V durdurma voltajı ve 6250W maksimum güç yeteneğine sahip tek konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1000A collector akımında 2.45V Vce(on) ile karakterize edilen bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlayan modül, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Şasi montaj tipi konfigürasyonu ve standart giriş seçeneği, yüksek güç güç kaynakları, indüktif ısıtma, motor sürücüleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 81 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 6250 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok