IGBT Transistörler - Modüller
DF1000R17IE4BOSA1
IGBT MODULE 1700V 6250W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DF1000R17IE4BOSA1
DF1000R17IE4BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DF1000R17IE4BOSA1, 1700V breakdown voltajına ve 6250W maksimum güç kapasitesine sahip tek kanallı IGBT modülüdür. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 1000A collector akımında 2.45V olup, -40°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. NTC termistör içermesi sayesinde sıcaklık monitoring imkanı sağlar. Yüksek gerilim ve güç uygulamalarında, endüstriyel konvertörler, kaynak makinaları ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır. Chassis mount konfigürasyonu ile kompakt mekanik entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 81 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 6250 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok