Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD142JC-7
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTD142JC
DDTD142JC-7 Hakkında
DDTD142JC-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Maksimum 500 mA kolektör akımı ile çalışabilen transistör, 200 MHz transition frequency'ye ve 56'lık minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Entegre 470 Ohm base ve 10 kOhm emitter-base direnç ile önceden tasarlanmış olan bu komponent, hızlı anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleri yükseltme (level shifting), sinyal amplifikasyonu ve kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. 50V maksimum VCEO ve 300mV SAT voltajı ile gücü anahtarlama devrelerinde de uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 470 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok