Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DDTD133HC-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DDTD133HC

DDTD133HC-7-F Hakkında

DDTD133HC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200 mW güç tüketimine, 500 mA kolektör akımına ve 200 MHz transition frequency karakteristiğine sahiptir. Entegre 3.3 kOhms base direnci ve 10 kOhms emitter-base direnci ile donatılmıştır. Maksimum 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile çalışır. Sinyal switching uygulamaları, lojik devreler, ses amplifikasyonu ve düşük-güç RF uygulamalarında kullanılmaktadır. Ön beslemeli yapısı nedeniyle şekillendirilmiş temel devreler için hızlı tasarım sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 3.3 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok