Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD123YC-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTD123YC
DDTD123YC-7-F Hakkında
DDTD123YC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç tüketimi ile entegre edilmiş baz dirençlerine (R1: 2.2 kΩ, R2: 10 kΩ) sahiptir. Maksimum 500 mA kolektör akımı ve 200 MHz transition frekansı ile sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50 V BVCEO diyelectric güvenliği ve 300 mV saturasyon voltajı ile güvenilir komutasyon sağlar. Küçük boy PCB tasarımlarında, opto-coupler çıkışı, sensor sürücüleri ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok