Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD123EC-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTD123EC
DDTD123EC-7-F Hakkında
DDTD123EC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (SC-59) paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 500 mA kolektör akımı, 50 V breakdown voltajı ve 200 MHz geçiş frekansı ile ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. İçerisinde entegre 2.2 kΩ ön besleme dirençleri sayesinde basit devre tasarımları sağlar. Surface mount teknolojisi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, aktif durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok