Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD114GC-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTD114GC
DDTD114GC-7-F Hakkında
DDTD114GC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç kapasitesi ve 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ile çalışır. 10 kΩ tabanla emitter arasına entegre direnç içeren tasarımı sayesinde harici polarizasyon dirençlerine ihtiyaç duymaz. 200 MHz transition frekansı ve 500 mA maksimum kolektor akımı ile anahtarlama uygulamalarında, lojik seviyeleri yükseltme devrelerinde ve sinyal seviyesi uyarlanmasında kullanılır. 56 minimum DC akım kazancı (hFE @ 50mA, 5V) ile sürücü uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli yapısı nedeniyle giyiyebilir elektronikler, IoT cihazları ve kompakt PCB tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. Komponent obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok