Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD114EC-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTD114EC
DDTD114EC-7-F Hakkında
DDTD114EC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 200 mW güç sınırlaması ile çalışır. Maksimum 500 mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile karakterize edilmiştir. Entegre 10kΩ baz ve emitter-baz dirençleri sayesinde harici ön beslenme devresi gerektirmez. 200 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, sinyalleme, darbe modülasyonu ve genel mantık devrelerinde kullanılır. 56 minimum DC akım kazancı (hFE), 300mV VCE satürasyon voltajı ile verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok