Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD113ZC-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTD113ZC
DDTD113ZC-7-F Hakkında
DDTD113ZC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç kapasitesi ile çalışır. 50 V collector-emitter breakdown voltajı ve 200 MHz transition frequency özelliklerine sahiptir. Entegre 1 kΩ base ve 10 kΩ emitter-base direnç ağıyla gelen sinyal, 500 mA'e kadar collector akımını anahtarlamasına olanak tanır. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyutuyla, lojik seviyeleri yükselten buffer uygulamalarında, sinyal anahtarlamada ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok