Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD113EU-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DDTD113EU
DDTD113EU-7-F Hakkında
DDTD113EU-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-323 (SC-70) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, 200 mW maksimum güç tüketimi ve 500 mA maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 200 MHz transition frequency özellikleri sayesinde orta hız uygulamalarda kullanılır. Dahili 1 kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde ön beslemeli (pre-biased) yapısına sahiptir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı switching ve amplifikasyon devrelerinde, sinyal işleme uygulamalarında ve lojik seviye dönüştürme işlemlerinde kullanılabilir. DC current gain (hFE) 33 @ 50mA, 5V koşullarında ölçülmüştür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok