Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTD113EC-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTD113EC
DDTD113EC-7-F Hakkında
DDTD113EC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç kapasitesine sahiptir. Dahili 1 kOhms base ve emitter-base direnç ağları bulunmaktadır. 50V VCEO diyelectric kuvveti ve 200 MHz transition frekansı ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılır. 500 mA maksimum kolektör akımı, 33'lük minimum hFE ve 300 mV doyum voltajı özellikleriyle düşük sinyalli anahtarlama ve sürücü devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı lojik uygulamalarında yer bulur. Ön beslemeli tasarımı nedeniyle dışsal bias resistorlarına ihtiyaç duymaz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok