Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTC123JE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Seri / Aile Numarası
- DDTC123JE
DDTC123JE-7-F Hakkında
DDTC123JE-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. SOT-523 (5-pin) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleri (sırasıyla 2.2 kΩ ve 47 kΩ) içerir. 150 mW maksimum güç tüketimi ve 50 V kolektör-emitter gerilimi ile sinyal anahtarlaması, lojik arayüz uygulamaları ve düşük seviye amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 250 MHz geçiş frekansı, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalara uygun kılar. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 80 minimum DC akım kazancı ile kompakt ölçülerde transistörlü tasarımlar mümkün hale gelir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok