Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTC123EE-7
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Seri / Aile Numarası
- DDTC123EE
DDTC123EE-7 Hakkında
DDTC123EE-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-523 yüksek yoğunluklu yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponent, 150mW güç sınırlamasına ve 100mA maksimum kollektör akımına sahiptir. Entegre 2.2kΩ taban ve emiter-taban direnç ağı ile donatılmış olan DDTC123EE-7, 250MHz geçiş frekansı özelliğine ve 50V maksimum VCE(dağılım) gerilimine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) minimum 20 değerindedir. Düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ve lojik seviyeleri sürme gerektiren transistor uygulamalarında tercih edilir. Part status olarak Digi-Key'de üretimden kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok