Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTC115EE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Seri / Aile Numarası
- DDTC115EE
DDTC115EE-7-F Hakkında
DDTC115EE-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150 mW güç derecelendirmesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100 kOhm base ve emitter-base dirençleri entegre olarak bulunur. 250 MHz transition frekansı ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile, ses amplifikasyon, analog sinyal işleme ve anahtarlama devrelerinde yer alır. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 82 minimum DC akım kazancı (5mA, 5V'da) ile genel amaçlı sinyal işlemede kullanılabilir. Düşük cutoff akımı (500nA max) ile düşük bekleme gücü gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok