Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTC115ECA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTC115ECA
DDTC115ECA-7-F Hakkında
DDTC115ECA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile sağlanan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri (her biri 100 kOhm) içerir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 200 mW güç kapasitesi ile düşük işaret seviyesi uygulamalarında kullanılır. 250 MHz transition frekansı, 5 V'ta 82 minimum DC akım kazancı ve 50 V breakdown voltajı ile hızlı anahtarlama devreleri, lojik seviye dönüştürücüler ve sinyal yönetimi uygulamalarına uygundur. Ön beslemeli yapısı sayesinde bağımsız base polarizasyonuna gerek kalmadan derhal kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok