Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DDTC115ECA-7

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DDTC115ECA

DDTC115ECA-7 Hakkında

DDTC115ECA-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç yeteneğine ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. Dahili base ve emitter-base direnç ağı (100kΩ) ile önceden yapılandırıldığından, ek biyaslandırma devreleri gerektirmeden doğrudan anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Vce saturation voltajı maksimum 300mV'tur. Entegre devrelerde, sinyal işleme, lojik seviyeleri çekme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok