Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTC114GCA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTC114GCA
DDTC114GCA-7-F Hakkında
DDTC114GCA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, entegre emitter base direnci (10 kΩ) ile birlikte gelmektedir. 100 mA collector akımı, 250 MHz transition frekansı ve 200 mW güç tüketimi kapasitesi ile ayrık transistör uygulamalarında kullanılır. 50 V Vce(breakdown) değeri ile gerilim dayanımı sağlar. Düşük güç gereksinim gerektiren anahtarlama devreleri, sinyal işleme uygulamaları ve entegre devre sürücü aşamalarında tercih edilir. Surface mount montajı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok