Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTC114GCA-7
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTC114GCA
DDTC114GCA-7 Hakkında
DDTC114GCA-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (SC-59) paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç dağıtım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100 mA kolektor akımı ve 250 MHz transition frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 50 V collector-emitter breakdown voltajı ve entegre base-emitter direnci (10 kΩ) sayesinde ön beslemeli yapısı, amplifikasyon devreleri, anahtarlama uygulamaları ve dijital lojik arabirimleri için uygundur. Düşük ICBO (500 nA) değeri ile kaçak akımı minimum düzeyde tutulur. Yüzey montaj teknolojisine uygun bu transistör, kompakt elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok