Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTC114EE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Seri / Aile Numarası
- DDTC114EE
DDTC114EE-7-F Hakkında
DDTC114EE-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-523 yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, entegre olmayan 10 kOhm baz ve emitter-baz direnç değerlerine sahiptir. 150 mW maksimum güç tüketimine, 100 mA maksimum kolektör akımına ve 250 MHz transition frekansına sahip olup, 50V kolektör-emitter gerilimi kırılmasına dayanabilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici baz polarizasyon dirençlerine gerek duymadan kullanılabilir. Ses frekansı amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, low-current uygulamalar ve dijital mantık sürücüleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Kompakt paket boyutu ve entegre direnç yapısı tasarım basitliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok