Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DDTC114ECA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DDTC114ECA

DDTC114ECA-7-F Hakkında

DDTC114ECA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tip ön beslemeli transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulur ve maksimum 200mW güç tüketimi ile çalışır. 100mA kollektor akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V kollektor-emitter gerilim kapasitesi özellikleri taşır. Transistör içerisinde entegre 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri bulunur. Bu ön beslemeli yapı, doğru biyaslanma için harici bileşenlere olan ihtiyacı azaltır. 300mV max doyum gerilimi ve 500nA max cutoff akımı ile kullanılır. Düşük sinyal anahtarlama, lojik uygulamaları ve aydınlatma kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok