Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTB142JC-7
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTB142JC
DDTB142JC-7 Hakkında
DDTB142JC-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponent, 200 mW güç tüketim kapasitesine ve 200 MHz geçiş frekansına sahiptir. Maksimum 500 mA kolektör akımı ile çalışabilen transistör, entegre 470 Ohm baz direnci ve 10 kOhms emitter-baz direnci içermektedir. 56 minimum DC akım kazancı (hFE) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V kolektör-emitter gerilim dayanımı ve 300mV saturasyon gerilimi özellikleri ile kompakt tasarımlar için uygun bir seçimdir. Kontrol devreleri, darbe amplifikatörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 470 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok