Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DDTB123YC-7-F

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DDTB123YC

DDTB123YC-7-F Hakkında

DDTB123YC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli PNP transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200mW maksimum güç disipasyonu ile çalışır. 500mA kollektör akımına ve 50V kollektör-emitör bozulma voltajına sahiptir. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Dahili 2.2kΩ ve 10kΩ direnç yapısı sayesinde ön yargılama işlevini yerine getirerek, sürücü devreler ve lojik seviye kontrol uygulamalarında kullanılır. Entegre direnç yapısı nedeniyle harici biyaslandırma dirençlerine gerek yoktur. Aktif durumda temin edilen bu bileşen, güç yönetimi, sinyal anahtarlaması ve darbe kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok