Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTB123EC-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTB123EC
DDTB123EC-7-F Hakkında
DDTB123EC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli transistördür. Entegre baz dirençleri (her biri 2.2 kΩ) ile gelen bu komponent, doğrudan lojik entegrelere bağlanabilecek şekilde tasarlanmıştır. 200 mW güç dağılımı kapasitesi, 500 mA maksimum kolektör akımı ve 200 MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, sinyal yalıtması, mantık seviyesi dönüştürme ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yer alır. 50V kesme gerilimi ve 39 minimum DC akım kazancı özellikleri ile genel amaçlı uygulamalara uygundur. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok