Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTB122JC-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTB122JC
DDTB122JC-7-F Hakkında
DDTB122JC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimine sahiptir. 50mA kollektör akımında 47 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 50V collector-emitter kırılma gerilimi ile tasarlanmıştır. 200MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 220Ω base ve 4.7kΩ emitter-base dirençleri ile ön biaslanmış konfigürasyon, hızlı ve basit devre tasarımı sağlar. Maksimum 300mV saturasyon gerilimi (2.5mA base, 50mA kollektör akımında) ile verimli anahtarlama performansı sunar. Lojik seviyeleri sürme, sinyal invertörü ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok