Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTB114GC-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTB114GC
DDTB114GC-7-F Hakkında
DDTB114GC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ve 500mA collector akımı kapasitesi ile çalışır. 50V breakdown voltajı ve 300mV saturasyon voltajı özellikleriyle, anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Gömülü 10kΩ emitter-base direnci sayesinde harici bias direnci gerektirmez, bu da PCB alanı tasarrufu sağlar. 200MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Ses amplifikatörleri, lojik seviye çevirici devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok