Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTB114EC-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTB114EC
DDTB114EC-7-F Hakkında
DDTB114EC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç dissipasyonuna ve 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile çalışır. İçerisinde entegre 10kΩ temel dirençleri barındıran bu transistör, 500mA maksimum kolektör akımı ve 200MHz transition frekansı ile lojik kontrol uygulamalarında, sinyal anahtarlaması ve güçlendirme devrelerinde kullanılır. DC akım kazancı 56 (50mA, 5V'da) ve doyum gerilimi 300mV (50mA kolektör akımında) olarak belirtilmiştir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine gerek olmaksızın hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok