Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTB113ZC-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTB113ZC
DDTB113ZC-7-F Hakkında
DDTB113ZC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre içerisine 1kΩ base pull-up ve 10kΩ emitter-base dirençleri içerir. 200mW güç dağıtım kapasitesi, 500mA maksimum collector akımı ve 200MHz transition frequency ile düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter breakdown voltajı sayesinde güvenli çalışma aralığı sağlar. TTL/CMOS lojik seviyesi uygulamalarında driver ve anahtarlama devreleri için tercih edilir. DC current gain minimum 56'dır (50mA, 5V koşullarında).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok