Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTB113EC-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTB113EC
DDTB113EC-7-F Hakkında
DDTB113EC-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. Entegre edilmiş base ve emitter dirençleri (her biri 1kΩ) sayesinde ek dış devreler gerektirmeden kullanılabilir. 200 MHz geçiş frekansı ve 50V VCEO diyelectric güç ile şalteleme uygulamalarında, sinyal işlemede ve lojik devre sürücü olarak kullanılır. Maksimum 300mV doyum voltajı ve 33'lük minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok