Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA123EE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Seri / Aile Numarası
- DDTA123EE
DDTA123EE-7-F Hakkında
DDTA123EE-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. SOT-523 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre taban (2.2kΩ) ve emitter (2.2kΩ) dirençleri sayesinde harici biasing bileşenlerine gereksinim duymaz, PCB tasarımını basitleştirir. 100mA maksimum kolektor akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile sinyal işleme, lojik seviye dönüştürücüler ve düşük frekans RF uygulamalarında yer alır. 50V kırılma gerilimi ve 300mV doyum gerilimi özellikleri, gürültülü endüstriyel ortamlarda ve pil uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok