Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DDTA123ECA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DDTA123ECA

DDTA123ECA-7-F Hakkında

DDTA123ECA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç dağıtım kapasitesine ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 2.2kOhm baz ve emitter-baz dirençleriyle donatılmıştır. 50V VCEO dış kırılma gerilimi ve 300mV saturasyon gerilimi ile bu transistör, dijital kontrol devreleri, sinyal anahtarlaması, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı PNP anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük güç tüketimi ve kompakt paket boyutu, taşınabilir cihazlar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok