Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA115GKA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTA115GKA
DDTA115GKA-7-F Hakkında
DDTA115GKA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç dissipasyonuna ve 100 mA maksimum kolektör akımına sahiptir. Entegre emitter-base direnci (100 kOhm) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250 MHz transition frequency ile orta hızlı sinyallerin işlenmesine uygundur. Kolektor-emitter doyum gerilimi düşük olup, 50V maksimum dönüş gerilimi ile sinyal anahtarlaması, lojik seviyeleri düzenleme ve sürücü devrelerinde uygulanır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymaz, tasarım alanı ve bileşen sayısını azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok