Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA115GE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Seri / Aile Numarası
- DDTA115GE
DDTA115GE-7-F Hakkında
DDTA115GE-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 150 mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 250 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Tipik olarak dijital devreler, sinyal yönlendirme, ön beslemeli anahtarlama ve mantık seviyesi dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. 50V kolektör-emiter kırılma gerilimi, 82 minimum DC akım kazancı (@5mA, 5V) ve 300mV satürasyon gerilimi temel elektriksel karakteristiklerdir. Entegre emitter-base direnç (100 kΩ) nedeniyle harici önyükleme direnci gerektirmez, bu da PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok