Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA115EE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Seri / Aile Numarası
- DDTA115EE
DDTA115EE-7-F Hakkında
DDTA115EE-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-523 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine olanak sağlar. Entegre olarak içerilen 100kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici biyaslama devresi gerektirmez, tasarım ve PCB alanı tasarrufu sağlar. 50V kolektör-emitter kırılma voltajı ile orta seviye voltaj uygulamalarında kullanılabilir. Sinyal anahtarlama, darbe amplifikasyonu ve düşük frekans amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok