Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA114WCA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTA114WCA
DDTA114WCA-7-F Hakkında
DDTA114WCA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SOT-23-3 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 200mW güç dağıtımı kapasitesine ve 250MHz transition frekansına sahiptir. Entegre 10kΩ base direnci ve 4.7kΩ emitter-base direnci ile donatılmıştır. 100mA maksimum collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile karakterize edilmektedir. Tipik uygulamaları arasında anahtarlama, amplifikasyon, lojik seviyeleri yönetme ve düşük güçlü sinyallerin işlenmesi yer almaktadır. Ön beslemeli konfigürasyonu sayesinde ayrı biasing ağına gerek duymadan doğrudan uygulama devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 24 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok